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NVMFS5830NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5830NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5830NLWFT1G-UM
Price: 2.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FS5830NLWFT1G-UM

Herst.- Nr.:

NVMFS5830NLWFT1G-UM

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFS5830NLWFT1G-UM Datenblatt

ECAD Model:

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	2.42 CHF	2.42 CHF
	1.56 CHF	15.60 CHF
	1.12 CHF	112.00 CHF
	0.931 CHF	465.50 CHF
	0.864 CHF	864.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.809 CHF	1 213.50 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	185 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	113 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	158 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	38 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	32 ns
Serie:	NVMFS5830NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns

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Datenblatt

NVMFS5830NLWFT1G-UM Datenblatt

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs

Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind AEC-Q101-qualifiziert und bieten kompakte und effiziente Lösungen für Automobil-Applikationen. Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen R_DS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten und niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Diese Einzel-n-Kanal-MOSFETs sind in einem kompakten SO-8FL- und WDFN8-Gehäuse untergebracht und sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
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n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V

onsemi NVMFSCx Automotive-Leistungs-MOSFETs mit 40 V und 60 V sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen von 5 mm x 6 mm verfügbar, die sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignen. Die Einzel-n-Kanal-Bauteile verfügen über einen R_DS(on) von 1,5 mΩ und 0,9 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die MOSFETs verfügen über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus sind die Bauteile AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen.

NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFS5830NL von onsemi ist ein hocheffizienter Leistungs-MOSFET, der für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen entwickelt wurde. Durch den Einsatz fortschrittlicher Trench-Technologie bietet das Bauteil NVMFS5830NL von onsemi einen außergewöhnlich niedrigen RDS_(on)(2,3 mΩ bei VGS = 10 V), wodurch sich der MOSFET ideal zur Minimierung von Leitungsverlusten in Hochstromsystemen eignet. Das Flat-Lead-SO-8FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm x 1 mm verbessert das thermische Betriebsverhalten und die Platzeffizienz auf der Platine, während die niedrige Gate-Ladung und die schnellen Schaltcharakteristika zu einer Verbesserung des Gesamtwirkungsgrads des Systems beitragen. Eine Option mit benetzbaren Flanken zur verbesserten optischen Inspektion ist erhältlich. Mit der Kombination aus hoher Strombelastbarkeit, geringen Schaltverlusten und einem kompakten Footprint eignet sich der NVMFS5830NL hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungsapplikationen und High-/Low-Side-Lastschaltern.