NVMFS5C645NT1G

onsemi
863-NVMFS5C645NT1G
NVMFS5C645NT1G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
60 V
92 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
20.4 nC
- 55 C
+ 175 C
79 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: MY
Land der Verbreitung: JP
Ursprungsland: MY
Abfallzeit: 5.8 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 36.3 ns
Serie: NVMFS5C645N
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13.2 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVMFS5C645N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs NVMFS5C645N von Onsemi zeichnen sich durch einen Dauersenkenstrom von 92 A, RDS(ON) von 4,6 mΩ bei 10 V und eine Drain-Source-Spannung von 60 V aus. Das Bauteil NVMFS5C645N ist in einem flachen Leitergehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das speziell für kompakte und effiziente Designs entwickelt wurde. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.