onsemi NCx57091 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber
onsemi NCx57091 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber sind Hochstrom-Einkanal-Treiber mit einer internen galvanischen Trennung von 5 kVRMS. Diese Treiber akzeptieren komplementäre Eingänge und bieten Optionen, wie z. B. eine aktive Miller-Klemme, eine negative Stromversorgung und separate High-/Low-Treiberausgänge für ein praktisches Systemdesign. Die IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber eignen sich für eine große Auswahl von Eingangsvorspannungen und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und sind in einem schmalen SOIC-8-Gehäuse verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerung, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Fahrzeuganwendungen, Industrie-Netzteile und Solarwechselrichter.
Merkmale
- Kurze Laufzeitverzögerungen mit präziser Anpassung
- IGBT-/MOSFET-Gate-Klemme während Kurzschluss
- Aktiver IGBT-/MOSFET-Gate-Pulldown
- Genaue UVLO-Schwellenwerte für Vorspannungsflexibilität
- Hohe transiente Immunität
- Hohe Beständigkeit gegen elektromagnetische Störungen
- Der niedrige Klemmspannungsabfall beseitigt die Notwendigkeit einer negativen Stromversorgung, um ein störendes Einschalten des Gate (Version A/D/F) zu verhindern
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHs-konform
Technische Daten
- Hoher Spitzenstrom: 6,5 A, -6,5 A)
- Logikschaltungseingänge: 3,3 V, 5 V und 15 V
- Galvanische Trennung: 5 kVRMS
- Verlustleistung: 1.470 mW
- Sperrschichttemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
- Lagertemperaturbereich: -65 °C bis +150 °C
Applikationen
- Motorsteuerung
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Fahrzeuganwendungen
- Industrienetzteile
- Solarwechselrichter
Blockdiagramme
Verwandtes Produkt
onsemi NCD57090 und NCV57090 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber
Hochstrom-Einkanal-IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber mit einer internen galvanischen Trennung von 5 kVrms.
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-21
| Aktualisiert: 2022-03-11