NCD57090 und NCV57090 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber

onsemi NCD57090 und NCV57090 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber sind Hochstrom-Einkanal-Gate-Treiber für IGBTs und MOSFETs mit einer internen galvanischen Trennung von 5 kVrms. Die NCD57090 und NCV57090 bieten einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsapplikationen. Diese Bauteile akzeptieren komplementäre Eingänge und bieten je nach Pin-Konfiguration Optionen, wie z. B. eine aktive Miller-Klemme, eine negative Stromversorgung und separate hohe und niedrige (OUTH und OUTL) Treiberausgänge für ein praktisches Systemdesign. Die NCD57090 und NCV57090 eignen sich für eine große Auswahl von Eingangsvorspannungen und Signalpegeln von 3,3 V bis 20,0 V.

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IGBT, MOSFET Gate Drivers SMD/SMT SOIC-8 1 Driver 1 Output 6.5 A 20 V 20 V Non-Inverting 13 ns 13 ns - 40 C + 125 C NCD57090 Reel, Cut Tape

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IGBT, MOSFET Gate Drivers SMD/SMT SOIC-8 1 Driver 1 Output 6.5 A 20 V 20 V Non-Inverting 13 ns 13 ns - 40 C + 125 C NCD57090 Reel, Cut Tape

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IGBT, MOSFET Gate Drivers SMD/SMT SOIC-8 1 Driver 1 Output 6.5 A 3.3 V 20 V Inverting, Non-Inverting 13 ns 13 ns - 40 C + 125 C NCD57090 Reel, Cut Tape

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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
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SMD/SMT SOIC-8 NCD57090 Reel