NCx57091 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber

onsemi NCx57091 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber sind Hochstrom-Einkanal-Treiber mit einer internen galvanischen Trennung von 5 kV_RMS. Diese Treiber akzeptieren komplementäre Eingänge und bieten Optionen, wie z. B. eine aktive Miller-Klemme, eine negative Stromversorgung und separate High-/Low-Treiberausgänge für ein praktisches Systemdesign. Die IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber eignen sich für eine große Auswahl von Eingangsvorspannungen und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und sind in einem schmalen SOIC-8-Gehäuse verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerung, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Fahrzeuganwendungen, Industrie-Netzteile und Solarwechselrichter.