Texas Instruments IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber UCC5871-Q1

Der IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber UCC5871-Q1 von Texas Instruments ist ein isolierter, hochkonfigurierbarer Einkanal-Gate-Treiber, der auf die Ansteuerung von Hochleistungs-SiC-MOSFETs und IGBTs in EV/HEV-Applikationen ausgerichtet ist. Die Leistungstransistor-Schutzfunktionen–wie Überstrom auf Shunt-Widerstandsbasis, Übertemperatur auf NTC-Basis und DESAT-Erkennung – umfassen eine wählbare Softabschaltung oder zweistufige Abschaltung bei diesen Fehlern. Um die Applikationsgröße weiter zu reduzieren, integriert der UCC5871-Q1 von Texas Instruments eine aktive Miller-Klemme von 4 A während des Schaltens und ein aktives Gate-Pull-Down, während der Treiber ausgeschaltet wird. Ein integrierter 10-Bit-ADC ermöglicht die Überwachung von bis zu sechs analogen Eingängen und der Temperatur des Gate-Treibers für ein verbessertes Systemmanagement. Diagnose- und Erkennungsfunktionen sind integriert, um das Systemdesign zu vereinfachen. Die Parameter und Schwellenwerte für diese Funktionen sind über die SPI-Schnittstelle konfigurierbar, wodurch das Bauteil mit nahezu jedem SiC-MOSFET oder IGBT verwendet werden kann.