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UCC5871QDWJRQ1

Name: Texas Instruments UCC5871QDWJRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC5871QDWJRQ1
Price: 13.37 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC5871QDWJRQ1

Herst.- Nr.:

UCC5871QDWJRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber Automotive 30-A isol ated 5.7-kV VRMS IG

Datenblatt:

UCC5871QDWJRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 750)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	13.37 CHF	13.37 CHF
	10.57 CHF	105.70 CHF
	9.87 CHF	246.75 CHF
	9.11 CHF	911.00 CHF
	8.74 CHF	2 185.00 CHF
	8.53 CHF	4 265.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 750)
	8.34 CHF	6 255.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	UCC5871
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SSOP-36
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Isolierungsspannung:	1500 Vrms
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Verzögerungszeit - Max.:	150 ns
Anstiegszeit:	150 ns
Abfallzeit:	150 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Low-Side
Land der Bestückung:	TW
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	TW
Entwicklungs-Kit:	UCC5870QDWJEVM-026
Eingangsspannung – Max:	5 V
Eingangsspannung – Min:	3.3 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	6 Output
Ausgangsstrom:	30 A
Ausgangsspannung:	15 V to 30 V
Produkt:	Isolated IGBT/SiC MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	750
Versorgungsspannung - Max.:	5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3.3 V
Technologie:	SiC

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Datenblatt

UCC5871QDWJRQ1 Datenblatt

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber UCC5871-Q1

Der IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber UCC5871-Q1 von Texas Instruments ist ein isolierter, hochkonfigurierbarer Einkanal-Gate-Treiber, der auf die Ansteuerung von Hochleistungs-SiC-MOSFETs und IGBTs in EV/HEV-Applikationen ausgerichtet ist. Die Leistungstransistor-Schutzfunktionen–wie Überstrom auf Shunt-Widerstandsbasis, Übertemperatur auf NTC-Basis und DESAT-Erkennung – umfassen eine wählbare Softabschaltung oder zweistufige Abschaltung bei diesen Fehlern. Um die Applikationsgröße weiter zu reduzieren, integriert der UCC5871-Q1 von Texas Instruments eine aktive Miller-Klemme von 4 A während des Schaltens und ein aktives Gate-Pull-Down, während der Treiber ausgeschaltet wird. Ein integrierter 10-Bit-ADC ermöglicht die Überwachung von bis zu sechs analogen Eingängen und der Temperatur des Gate-Treibers für ein verbessertes Systemmanagement. Diagnose- und Erkennungsfunktionen sind integriert, um das Systemdesign zu vereinfachen. Die Parameter und Schwellenwerte für diese Funktionen sind über die SPI-Schnittstelle konfigurierbar, wodurch das Bauteil mit nahezu jedem SiC-MOSFET oder IGBT verwendet werden kann.