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STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

Der STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor ist ein Anreicherungs-Transistor, der für Applikationen mit hohem Wirkungsgrad für die Leistungsumwandlung ausgelegt ist. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 700 V und einem typischen Einschaltwiderstand von nur 80 mΩ nutzt der STMicroelectronics SGT080R70ILB die überragende Schaltleistung der Galliumnitrid-Technologie (GaN), um Leitungs- und Schaltverluste zu minimieren. Der Transistor ist in einem kompakten PowerFLAT 8x8 HV-Gehäuse untergebracht, unterstützt den Hochfrequenzbetrieb und eignet sich hervorragend für den Einsatz in Resonanzwandlern, Blindleistungskompensation (PFC) und DC/DC-Wandlern. Niedrige Gate-Ladung und Ausgangskapazität ermöglichen schnellere Übergänge und reduzierte Energiedissipation, wodurch sich der SGT080R70ILB gut für anspruchsvolle Applikationen in der Unterhaltungselektronik, in Industriesystemen und Rechenzentren eignet.

Merkmale

  • Verbesserung Modus normalerweise aus TRANSISTOR
  • Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
  • Extrem niedrige Kapazitäten
  • Kelvin-Quellen-Pad für optimalen Gate-Antrieb
  • Keine Sperrverzögerungsladung
  • ESD-Schutz
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Unterhaltungselektronik
  • Industriesysteme
  • Rechenzentren
  • Adapter für Tablets, Notebooks und AIO
  • USB Type-C®-PD-Adapter und Schnellladegeräte
  • AC/DC-Wandler
  • DC/DC Wandler
  • Wandler
  • Blindleistungskompensation (PFC)-Stufen

Technische Daten

  • 700 V maximale Drain-Source-Spannung
  • 800 V maximale transiente Drain-Source-Spannung bei tp <>
  • -6 V bis 7 V maximale Gate-Source-Spannung
  • 29 A maximaler Dauersenkenstrom bei +25 °C
  • 58 A maximaler Impuls-Drainstrom bei tp = 10μs
  • 188 W maximale Verlustleistung bei +25 °C
  • 2,3 V typische Source-Drain- Sperrspannung
  • Schalt-
    • 3 ns typische Einschaltverzögerungszeit
    • 4 ns typische Anstiegszeit
    • 5 ns typische Abschaltverzögerungszeit
    • Typische Abfallzeit von 4 ns
  • Statisch
    • Höchster Ableitstrom von 390 μA zwischen Drain und Source
    • Typischer Ableitstrom von 163 μA zwischen GATE und Source
    • Schwellenspannungsbereich von 1,2 V bis 2,5 V für das GATE
    • Höchster statischer On-Widerstand von 80 mΩ zwischen Drain und Source
  • 2 kV Human Body Model (HBM) ESD-Schutz
  • Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle -55 °C bis +150 °C
  • Dynamik-
    • 225 pF typische Eingangskapazität
    • 70 pF typische Ausgangskapazität
    • 0,5 pF typische Rückübertragungs-Kapazität
    • 105 pF typische äquivalente Ausgangskapazität Energiebezogen
    • Typische äquivalente Ausgangskapazität von 150 pF, zeitbezogen
    • 3 Ω typischer intrinsischer GATE-Widerstand
    • 2,2 V typische GATE- Plateau-Spannung
    • 6,2 nC typisch gesamt GATE elektrische Ladung
    • Typische elektrische Ladung Gate-Source: 0,5 nC
    • Typische elektrische Ladung Gate-Drain: 2,2 nC
    • Typische Sperrverzögerungsladung: 0 nC
    • 60 nC typische Ausgangsladung
  • Thermischer Widerstand
    • 0,52 °C/W Übergang zur Gehäusetemperatur
    • 33,6°C/W Übergang von der Halbleiter- zur Umgebungstemperatur

Schaltschema

Schaltplan - STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

Testschaltungen

Technische Zeichnung - STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

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Veröffentlichungsdatum: 2025-10-20 | Aktualisiert: 2025-12-04