PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistoren

Die Transistoren PowerGaN E-Mode G-HEMT™ von STMicroelectronics sind leistungsstarke GaN-Bauelemente des Enhancement-Modus (Normal-Off), die für außergewöhnlich schnelles Schalten, geringe Durchlassverluste und hohe Leistungsdichte in anspruchsvollen Stromumwandlungsanwendungen ausgelegt sind. Diese Transistoren nutzen die Vorteile der großen Bandlücke von Galliumnitrid, um extrem niedrige Kapazitäten, eine minimale Gate-Ladung und eine Rücklaufladung von Null zu erzielen, was im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsschaltern aus Silizium einen überragenden Wirkungsgrad ermöglicht.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
700Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
700Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
700Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
693Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
348Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
675Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
679Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W