SGT080R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT080R70ILB
SGT080R70ILB

Produttore:

Descrizione:
GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: GaN FETs
RoHS::  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
GaN
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 4 ns
Sensibili all’umidità: Yes
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Confezione: MouseReel
Prodotto: FET
Tipo di prodotto: GaN FETs
Tempo di salita: 4 ns
Serie: SGT
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo: PowerGaN Transistor
Ritardo di spegnimento tipico: 5 ns
Tipico ritardo di accensione: 3 ns
Peso unità: 154 mg
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Scheda dati

PCN

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Codici di conformità
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

Il transistor E-Mode PowerGaN SGT080R70ILB di STMicroelectronics è un transistor in modalità potenziamento progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza. Dotato di una tensione nominale drain-source di 700 V e di una resistenza di tipica di soli 80 mΩ, il SGT080R70ILB di STMicroelectronics sfrutta le prestazioni di commutazione superiori del nitruro di gallio (GaN), una tecnologia per ridurre al minimo la conduzione e le perdite di commutazione. Alloggiato in un compatto package PowerFLAT 8x8 HV, il transistor supporta il funzionamento ad alta frequenza ed è ideale per l'uso in convertitori risonanti, stadi di correzione del fattore di potenza (PFC) e convertitori CC-CC. Una bassa carica di gate e capacità di uscita consentono transizioni più veloci e una ridotta dissipazione di energia, rendendo lo SGT080R70ILB adatto per applicazioni impegnative nell'elettronica di consumo, nei sistemi industriali e nei data center.

Transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™

I transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™ di STMicroelectronics sono dispositivi GaN ad alte prestazioni in modalità di arricchimento (normalmente chiusi), progettati per garantire una commutazione eccezionalmente rapida, basse perdite di conduzione e un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza particolarmente esigenti. Questi transistor sfruttano i vantaggi del nitruro di gallio, materiale a banda larga, per ottenere capacità estremamente basse, una carica di gate minima e una carica di recupero inverso pari a zero, garantendo un'efficienza superiore rispetto ai tradizionali interruttori di potenza in silicio.

A magazzino: 880

A magazzino:
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Tempo di consegna da parte della fabbrica:
20 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-.-- CHF
Prezzo esteso:
-.-- CHF
Stima Tariffa:
Confezione:
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Prezzi (CHF)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ †
5.77 CHF 5.77 CHF
3.78 CHF 37.80 CHF
2.79 CHF 279.00 CHF
2.47 CHF 1 235.00 CHF
2.34 CHF 2 340.00 CHF
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
1.98 CHF 5 940.00 CHF
† La commissione 7.00 CHF MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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