Neu SiC-MOSFETs
Die™ Fahrzeug 750 V MOSFETs von Infineon Technologies sind so konstruiert, dass sie den strengen Anforderungen von Applikationen in Elektrofahrzeugen (EV) wie Umrichter, Onboard- Ladegeräten (OBC) und Hochspannungs -DC/DC- Wandlern gerecht werden. Diese MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) bieten einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und ein hervorragendes Betriebsverhalten, was die Entwicklung von E-Mobilitätssystemen der nächsten Generation ermöglicht. Mit einer Nennspannung von 750 V und der Technologie der zweiten Generation CoolSiC™ bieten diese Bauteile ein verbessertes Schaltverhalten und geringere Verluste im Vergleich zu Siliziumlösungen. Das Portfolio umfasst einen Bereich von RDS(on)-Werten von 9 mΩ bis 78 mΩ und bietet Designern somit Flexibilität bei der Optimierung von Leitungs- und Betriebsverhalten.
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Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETsEntwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.19.12.2025
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onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETsDiese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.04.12.2025 -
Central Semiconductor 1700 V n-Kanal-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC)These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.20.11.2025 -
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETsDiese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.17.10.2025 -
Infineon Technologies CoolSiC™ 1.400-V-SiC-G2-MOSFETsVerbessertes Betriebsverhalten, erhöhte Leistungsdichte und gesteigerte Zuverlässigkeit.09.10.2025 -
Microchip Technology 1200 V SIC-MOSFETsDie MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad in einer leichteren, kompakteren Lösung mit schnellen Schaltgeschwindigkeiten.25.09.2025 -
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETsDiese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].19.09.2025 -
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 VSperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.27.08.2025 -
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETEin mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.21.08.2025 -
onsemi NXVF6532M3TG01 EliteSiC-H-Brücken-Leistungs-MOSFET mit 650 VDie Bauteile bieten einen überlegenen Wirkungsgrad, schnelles Schalten und robustes Betriebsverhalten.08.08.2025 -
ROHM Semiconductor SCT40xKWA n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETsVerfügen über 1.200 VDS, einen niedrigen On-Widerstand, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine schnelle Recoveryzeit.14.07.2025 -
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 VHochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.23.06.2025 -
Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETsAutomobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.03.06.2025 -
onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)Verfügt über eine maximale RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 1700 V.22.05.2025 -
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETsDelivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.06.05.2025 -
Wolfspeed 1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETsBieten eine höhere Schaltung, einen höheren Systemwirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für die Leistungsumwandlung der nächsten Generation.17.04.2025 -
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFETEinzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.06.03.2025 -
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFETEinzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.06.03.2025 -
onsemi NVH4L050N170M1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETsLiefern eine außergewöhnliche Leistung mit einem typischen RDS(on) von 53 mΩ bei VGS = 20 V.20.02.2025 -
onsemi NTBL032N065M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETsFür schnelle Schaltapplikationen ausgelegt, die eine zuverlässige Leistung bieten.20.02.2025 -
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFETOffers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications18.02.2025 -
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFETDer 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.18.02.2025 -
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFETDer 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.18.02.2025 -
SemiQ GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET Diskrete BauteileDeveloped to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.02.01.2025 -
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETsIdeal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.06.09.2024