onsemi Trench8 MOSFETs
Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (RDS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Qg) und eine geringe (Qg) x RDS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Qg und Qoss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.
Merkmale
- Nach AEC-Q101 qualifizierte und PPAP-fähige Optionen verfügbar
- Optimiertes Design zur Reduzierung von Leitungs- und Schaltverlusten
- Optimierte Gehäuse zur Reduzierung der Parasitärinduktivität
- Optimiertes Material für eine verbesserte thermische Leistung
- Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich (VDS): 25 V zu 80 V
- Dauersenkenstrombereich (ID): 11,6 A zu 351 A
- Drain-Source-Einschaltwiderstandsbereich (RDS(ON)): 0,7 mΩ bis 55 mΩ
- Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
- Gate-Source-Schwellenspannungsbereich (VGS(TH)): 1,1 V auf 4,0 V
- Gate-Ladungsbereich (Qg): 4,7 nC bis 166 nC
- Verlustleistungsbereich (Pd): 860 mW auf 311 W
- Gehäuseoptionen:
- DFN-5, DFN-8, DFNW-8, H-PSOF-8, PQFN-8, SO-8, SO-8FL, SO-FL-8L, WDFN-6, WDFN-8, WQFN-12
- Benetzbare Flankenoptionen verfügbar
- Betriebs- und Sperrschicht-Temperaturbereich
- Industrie: -55 °C bis +125 °C
- Automotive: -55 °C bis +150 °C
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Automotive (nur AEC-Q101-qualifizierte Optionen)
- EV-/HEV-Ladegeräte (nur AEC-Q101-qualifizierte Optionen)
- Hochleistungs-DC/DC-Wandler
- Systemspannungsschienen
- Netz- und Telekommunikation
- Server
- Punktlast (POL)
- Motorantriebe
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