NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL N-Kanal MOSFETs

Die NTTFD4D0N04HL und NTTFD9D0N06HL n-Kanal-MOSFETs von onsemi sind symmetrische POWERTRENCH®-Leistungsclip-Zweikanal-MOSFETs in einem WQFN12-Gehäuse. Diese Bauteile umfassen zwei spezialisierte n-Kanal-MOSFETs in einem Dual-Gehäuse. Der Schaltknotenpunkt wurde intern verbunden, um ein einfaches Platzieren und Routing der synchronen Abwärtswandler zu ermöglichen. Der Steuerungs-MOSFET (Q2) und der synchrone MOSFET (Q1) sind für einen optimalen Leistungswirkungsgrad ausgelegt. Die NTTFD4D0N04HL und NTTFD9D0N06HL n-Kanal-MOSFETs von onsemi bieten einen niedrigen RDS(on), einen niedrigen QG und eine geringe Kapazität und niedrige Leitungs-/Treiberverluste. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Universal-Punktlast, einphasige Motorantriebe, Computer und Kommunikation.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs MOSFET, Power, 40V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
Datenblatt
3 688Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-12 N-Channel 2 Channel 40 V 60 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs MOSFET, Power, 60V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
Datenblatt
1 731Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-12 N-Channel 2 Channel 60 V 38 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape