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NTMFS5H419NLT1G

Name: onsemi NTMFS5H419NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS5H419NLT1G
Price: 1.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS5H419NLT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS5H419NLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 40V LOW COSS

Datenblatt:

NTMFS5H419NLT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.67 CHF	1.67 CHF
	1.02 CHF	10.20 CHF
	0.755 CHF	75.50 CHF
	0.615 CHF	307.50 CHF
	0.587 CHF	587.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.557 CHF	835.50 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	155 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	45 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	89 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	56 ns
Serie:	NTMFS5H419NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	62 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Gewicht pro Stück:	175 mg

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Datenblatt

NTMFS5H419NLT1G Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.

NTMFS5H419NL 40V 150A n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMFS5H419NL 150A n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein Ein-Kanal-MOSFET mit 40 V und niedrigem ON-Widerstand, niedriger Gateladung und niedriger Kapazität. Diese Merkmale minimieren Leitungsverluste und bieten eine überlegene Schaltleistung. Der NTMFS5H419NL Power-MOSFET wird in einem kompakten 5 mm x 6 mm großen DFN-5-Gehäuse angeboten, das sich ideal für Applikationen mit wenig Platz eignet.