onsemi NVMJD010N10MCL Leistungs-MOSFET
Der onsemi NVMJD010N10MCL Leistungs-MOSFET ist ein Dual-n-Kanal-MOSFET, der für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistungsfähigkeit, ausgelegt ist. Dieser Leistungs-MOSFET wird mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V, einem Drain-Widerstand von 10 mΩ und einem Dauersenkenstrom von 62 A betrieben. Der MOSFET NVMJD010N10MCL verfügt über eine niedrige Gate-Gesamtladung (QG) und eine geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Dieser MOSFET wird in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm geliefert und ist ein AEC-Q101-qualifizierter MOSFET. Das Bauteil ist bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, Beryllium-frei und RoHS-konform. Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Magnettreiber, Low-Side-/High-Side-Treiber, Automotive-Motorsteuerungen und Antiblockiersysteme.
Merkmale
- Kleiner Footprint (5 mmm x 6 mmm) für ein kompaktes Design
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Drain-Source-Spannung: 100 VDSS
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, Beryllium-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Magnettreiber
- Low-Side-/High-Side-Treiber
- Motorkontroller in Fahrzeugen
- Antiblockiersysteme
Leistungsdiagramm
Abmessungen
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Veröffentlichungsdatum: 2024-02-22
| Aktualisiert: 2024-07-02