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NVMYS3D8N04CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D8N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D8N04CLTWG
Price: 1.49 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMYS3D8N04CLTWG

Herst.- Nr.:

NVMYS3D8N04CLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V LL LFPAK

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVMYS3D8N04CLTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	1.36 CHF	13.60 CHF
	0.90 CHF	90.00 CHF
	0.819 CHF	409.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.46 CHF	1 380.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	87 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	55 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	100 ns
Serie:	NVMYS3D8N04CL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.3 ns

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Datenblatt

NVMYS3D8N04CLTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMYS3D8N04CL Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVMYS3D8N04CL Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-MOSFET, der für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistungsfähigkeit ausgelegt ist. Dieser Leistungs-MOSFET wird mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V, einem Drain-Widerstand von 3,7 mΩ und einem Dauersenkenstrom von 87 A betrieben. Der NVMYS3D8N04CL n-Kanal-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und eignet sich für Fahrzeuganwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Boardebene erfordern. Dieses Bauelement ist RoHS-konform und bleifrei. Der NVMYS3D8N04CL eignet sich hervorragend für Leistungsschalter mit Batterie-Verpolungsschutz, Schaltnetzteile, Magnettreiber, Motorsteuerung und Lastschalter.