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NVMYS3D8N04CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D8N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D8N04CLTWG
Price: 1.55 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMYS3D8N04CLTWG

Herst.- Nr.:

NVMYS3D8N04CLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V LL LFPAK

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVMYS3D8N04CLTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.55 CHF	1.55 CHF
	1.45 CHF	14.50 CHF
	0.959 CHF	95.90 CHF
	0.758 CHF	379.00 CHF
	0.511 CHF	511.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.41 CHF	1 230.00 CHF
	0.395 CHF	2 370.00 CHF
	0.388 CHF	3 492.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	87 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	55 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	100 ns
Serie:	NVMYS3D8N04CL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.3 ns

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Datenblatt

NVMYS3D8N04CLTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMYS3D8N04CL Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVMYS3D8N04CL Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-MOSFET, der für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistungsfähigkeit ausgelegt ist. Dieser Leistungs-MOSFET wird mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V, einem Drain-Widerstand von 3,7 mΩ und einem Dauersenkenstrom von 87 A betrieben. Der NVMYS3D8N04CL n-Kanal-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und eignet sich für Fahrzeuganwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Boardebene erfordern. Dieses Bauelement ist RoHS-konform und bleifrei. Der NVMYS3D8N04CL eignet sich hervorragend für Leistungsschalter mit Batterie-Verpolungsschutz, Schaltnetzteile, Magnettreiber, Motorsteuerung und Lastschalter.