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NVMJD010N10MCLTWG

Name: onsemi NVMJD010N10MCLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-VMJD010N10MCLTWG
Price: 2.53 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VMJD010N10MCLTWG

Herst.- Nr.:

NVMJD010N10MCLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE

Datenblatt:

NVMJD010N10MCLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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	1.14 CHF	114.00 CHF
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	0.904 CHF	2 712.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	62 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	26.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	84 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	28 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	61 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	32 ns
Serie:	NVMJD010N10MCL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	68 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns

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Datenblatt

NVMJD010N10MCLTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMJD010N10MCL Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVMJD010N10MCL Leistungs-MOSFET ist ein Dual-n-Kanal-MOSFET, der für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistungsfähigkeit, ausgelegt ist. Dieser Leistungs-MOSFET wird mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V, einem Drain-Widerstand von 10 mΩ und einem Dauersenkenstrom von 62 A betrieben. Der MOSFET NVMJD010N10MCL verfügt über eine niedrige Gate-Gesamtladung (Q_G) und eine geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Dieser MOSFET wird in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm geliefert und ist ein AEC-Q101-qualifizierter MOSFET. Das Bauteil ist bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, Beryllium-frei und RoHS-konform. Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Magnettreiber, Low-Side-/High-Side-Treiber, Automotive-Motorsteuerungen und Antiblockiersysteme.