Zurück zu onsemi

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFS5830NL von onsemi ist ein hocheffizienter Leistungs-MOSFET, der für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen entwickelt wurde. Durch den Einsatz fortschrittlicher Trench-Technologie bietet das Bauteil NVMFS5830NL von onsemi einen außergewöhnlich niedrigen RDS(on) (2,3 mΩ bei VGS = 10 V), wodurch sich der MOSFET ideal zur Minimierung von Leitungsverlusten in Hochstromsystemen eignet. Das Flat-Lead-SO-8FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm x 1 mm verbessert das thermische Betriebsverhalten und die Platzeffizienz auf der Platine, während die niedrige Gate-Ladung und die schnellen Schaltcharakteristika zu einer Verbesserung des Gesamtwirkungsgrads des Systems beitragen. Eine Option mit benetzbaren Flanken zur verbesserten optischen Inspektion ist erhältlich. Mit der Kombination aus hoher Strombelastbarkeit, geringen Schaltverlusten und einem kompakten Footprint eignet sich der NVMFS5830NL hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungsapplikationen und High-/Low-Side-Lastschaltern.

Merkmale

  • Kleiner Footprint (5 mm x 6 mm) für ein kompaktes Design
  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Niedriger QG und niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
  • DFN5-Gehäuse (SO−8FL), Case 488AA Style 1, benetzbare Flanken
  • AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • Bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform

Applikationen

  • Motorsteuerung
  • High-/Low-Side-Lastschalter

Technische Daten

  • Maximale Drain-Source-Spannung: 40 V
  • Maximale Gate-Source-Spannung: ±20 V
  • Maximaler gepulster Drainstrom: 1012 A
  • Maximale Drain-Source-Avalanche-Energie pro Einzelimpuls: 361 mJ
  • AUS-Eigenschaften
    • Minimale Durchschlagspannung: 40 V (Drain-zu-Source)
    • Typischer Durchschlagspannungstemperaturkoeffizient: 32 mV/°C (Drain-zu-Source)
    • Maximaler Drainstrombereich bei Null-Gate-Spannung: 1 µA (bei +25 °) bis 100 µA (bei +125 °C)
    • Maximaler Ableitstrom: ±100 nA (Gate-zu-Source)
  • EIN-Eigenschaften
    • Gate-Schwellenspannungsbereich von 1,4 V bis 2,4 V
    • Typischer negativer Temperaturkoeffizient: 7,2 mV/°C
    • Maximaler Drain-Source-On-Widerstandsbereich: 2,3 mΩ (bei 10 V) bis 3,6 mΩ (bei 4,5 V)
    • 38 S typische Vorwärts-Transkonduktanz
  • Typische Kapazität
    • 5880 pF Eingang
    • 750 pF Ausgang
    • 500 pF Rückwärtsübertragung
  • Ladungen
    • Typischer Gesamt-Gate-Ladungsbereich: 58 nC bis 113 nC
    • Typische Schwell-Gate-Ladung: 5,5 nC
    • Typische Gate-Source-Ladung: 19,5 nC
    • Typische Gate-Drain-Ladung: 32 nC
    • Typische Plateau-Spannung: 3,6 V
  • Typische Schaltkennwerte
    • 22 ns Einschaltverzögerungszeit
    • 32 ns Anstiegszeit
    • 40 ns Abschaltverzögerungszeit
    • 27 ns Abfallzeit
  • Kennwerte der Drain-Source-Diode
    • Maximale Durchlassdiodenspannung: 1,0 V
    • Typische Sperrverzögerung: 41 ns
    • Typische Ladung/Entladungszeit: 19 ns
    • Typische Sperrverzögerungsladung: 33 nC
  • Maximaler thermischer Widerstand
    • 1,0 °C/W Übergang–Montagefläche, stationärer Zustand
    • 39 °C/W Übergang–Umgebung, stationärer Zustand
  • +260 °C maximale Löttemperatur

Schaltschema

Schaltplan - onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Verwandte MOSFETs

onsemi NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs

Die AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs bieten kompakte und effiziente Lösungen für Automobil-Applikationen.

Learn Moreüber onsemi NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs View Productsverwandt mit onsemi NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs

onsemi n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V

In Flat-Lead- und Dual-Cool-Gehäusen von 5 mm x 6 mm erhältlich, die sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignen.

Learn Moreüber onsemi n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V View Productsverwandt mit onsemi n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V
Veröffentlichungsdatum: 2025-11-04 | Aktualisiert: 2025-11-19