onsemi NCD57090 und NCV57090 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber

onsemi NCD57090 und NCV57090 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber sind Hochstrom-Einkanal-Gate-Treiber für IGBTs und MOSFETs mit einer internen galvanischen Trennung von 5 kVrms. Die NCD57090 und NCV57090 bieten einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsapplikationen. Diese Bauteile akzeptieren komplementäre Eingänge und bieten je nach Pin-Konfiguration Optionen, wie z. B. eine aktive Miller-Klemme, eine negative Stromversorgung und separate hohe und niedrige (OUTH und OUTL) Treiberausgänge für ein praktisches Systemdesign. Die NCD57090 und NCV57090 eignen sich für eine große Auswahl von Eingangsvorspannungen und Signalpegeln von 3,3 V bis 20,0 V.

Die IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber NCD57090 und NCV57090 von onsemi sind in einem kompakten SOIC-8-Gehäuse erhältlich. Der NCV57090 ist für Fahrzeuganwendungen AEC-Q100-qualifiziert und PAAP-fähig.

Merkmale

AEC-Q100-qualifiziert und PAAP-fähig (nur NCV57090)
Hoher Spitzenstrom: +6,5 A/-6,5 A
Der niedrige Klemmspannungsabfall beseitigt die Notwendigkeit einer negativen Stromversorgung, um ein störendes Einschalten des Gate (Versionen A, D, F) zu verhindern
Kurze Laufzeitverzögerungen mit präziser Anpassung
IGBT-/MOSFET-Gate-Klemme während Kurzschluss
Aktiver IGBT-/MOSFET-Gate-Pulldown
Genaue UVLO-Schwellenwerte für Vorspannungsflexibilität
Großer Vorspannungsbereich, einschließlich negativem VEE2 (Version B)