Nexperia MJD31C und MJD32C 3-A-Bipolartransistoren mit 100 V

Nexperia MJD31C und MJD32C 3-A-Bipolartransistoren (BJT) mit 80 V bieten eine hohe thermische Verlustleistung in einem oberflächenmontierbaren (SMD) Power-DPAK-TO-252-Kunststoffgehäuse (SOT428C). Diese Bauteile bieten aufgrund der geringen Wärmeentwicklung eine hohe Energieeffizienz und verfügen über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Die MJD31C und MJD32C eignen sich hervorragend für eine große Auswahl von Applikationen, einschließlich Linear-Spannungsregler, Leistungsmanagement und Konstantstromantriebs-Hintergrundbeleuchtung.

Merkmale

  • Hohe thermische Verlustleistungsfähigkeit
  • Hohe Energieeffizienz aufgrund der niedrigen Wärmeentwicklung
  • Polarität
    • MJD32C: PNP
    • MJD31C: NPN
  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
  • Umgebungsbetriebstemperatur: -55 °C bis +150 °C
  • Gehäuseausführung: DPAK (SOT428C), 3 Anschlüsse 
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Leistungsmanagement
  • Lastschalter
  • Konstantstromantriebs-Applikationen für Hintergrundbeleuchtung
  • Linearmodus-Spannungsregler
  • Motorantrieb
  • Ersatz für Relais

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - Nexperia MJD31C und MJD32C 3-A-Bipolartransistoren mit 100 V
Veröffentlichungsdatum: 2019-09-20 | Aktualisiert: 2023-05-04