MJD44H11A und MJD45H11A 8-A-Bipolartransistoren

Nexperia MJD44H11A und MJD445H11A 8-A-Bipolartransistoren mit 80 V bieten eine hohe thermische Verlustleistung in einem oberflächenmontierbaren (SMD) Power-DPAK-TO-252-Kunststoffgehäuse (SOT428C). Diese Bauteile bieten aufgrund der geringen Wärmeentwicklung eine hohe Energieeffizienz und verfügen über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Die MJD44H11A und MJD45H11A eignen sich hervorragend für eine große Auswahl von Applikationen, einschließlich Linear-Spannungsregler, Leistungsmanagement und Konstantstromantriebs-Hintergrundbeleuchtung.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
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54Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 15 000
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
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155Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 155
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT
Datenblatt
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1 632Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 632
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel