BJT und MJD Bipolartransistoren

Nexperia BJT- und MJD-Bipolartransistoren bieten eine hohe thermische und elektrische Leistung. Die hochwertige, hochzuverlässige MJD-Bipolartransistor-Produktfamilie mit Automotive-Qualifizierung (AEC-Q101) und Verbraucher-/Industrie-Qualifizierung mit einer Leistung von 2 A bis 8 A umfasst siebzehn Bauteile in NPN- und PNP-Ausführungen von 45 V bis 100 V. Diese bekannten Bauelemente im Industriestandard-Footprint ergänzen das bestehende Portfolio an Hochleistungs-Bipolartransistoren in LFPAK-Gehäusen von Nexperia und erweitern das Gesamtangebot an diskreten Bipolartransistoren des Unternehmens weiter.’’ Zu den Applikationen gehören LED-Automotivebeleuchtung, Dimmen der Hintergrundbeleuchtung in LCD-Displays, Linear- Spannungsregler, Relaisersatz, Motorantriebe, Laserdrucker und MOSFET-Treiber.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
1 994Auf Lager
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 7 A 45 V 6 V 500 mV 1.6 W 3 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
1 964Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 4 A 45 V 6 V 500 mV 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
3 530Auf Lager
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 2 A 50 V 6 V 300 mV 15 W 65 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
Datenblatt
837Auf Lager
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
Datenblatt
1 373Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 6A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
214Auf Lager
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 10 A 100 V 6 V 1.5 V 1.6 W 3 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 6A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
392Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 6 A 100 V 6 V 1.5 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 6A PNP HI PWR BJT
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413Auf Lager
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Max.: 413
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 10 A 100 V 6 V 1.5 V 1.6 W 3 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 6A PNP HI PWR BJT
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903Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 6 A 100 V 6 V 1.5 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
36Auf Lager
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT
Datenblatt
1 613Auf Lager
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
8Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 50 V 6 V 300 mV 1.6 W 65 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 3A NPN H I PWR BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 1.6 W 3 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel