Microchip Technology SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Microsemi/Microchip SiC-Schottky-Dioden (SBD) bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium-Leistungsdioden. Die SiC-Barriere-Dioden (Siliziumkarbid, SiC) bestehen aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C). Im Vergleich zu reinen Silizium-Bauelementen bieten SiC-Bauelemente eine viel größere dielektrische Durchschlagsfeldstärke, eine höhere Bandlücke und eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Die SiC-Schottky-Dioden verfügen über keine Durchlass- und Sperrverzögerungsladung, wodurch die Dioden-Schaltverluste reduziert werden können. Darüber hinaus bieten die Bauteile eine temperaturunabhängige Schaltung und gewährleisten eine stabile Hochtemperaturleistung.

Merkmale

Ohne Sperrverzögerungsladung für einen verbesserten Wirkungsgrad des Systems
Geringe Durchlassspannung
Niedriger Ableitstrom
2,5x wärmeleitfähiger als Silizium
Hohes Avalanche-Bewertung (UIS)
Großer Betriebs-Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich: -55 ºC bis +175 ºC

Reduziert die Anforderungen an Kühlkörper
Hoher Wirkungsgrad
Hohe Leistungsdichte
In kompakten TO-220- und TO-247-Gehäusen
Reduzierte Schaltungsgröße und Systemkosten
RoHS-konform

Applikationen

Kommerzielle Luftfahrt:
- Antrieb, Klimaanlage, Stromverteilung
Industrie:
- Motorantriebe, Schweißen, USV, Induktionserwärmung, Schaltnetzteile
Transportwesen/Automotive:
- EV-Batterieladegeräte, On-Board-Ladegeräte, H/EV-Antriebsstrang, DC/DC-Wandler, Energierückgewinnung

Smart-Energie:
- PV-Wechselrichter, Windturbinen
Medizintechnik:
- MRI-Stromversorgung, Röntgenstromversorgung
Verteidigung und Öl-Bohranlagen
- Motorantriebe, Hilfsnetzteile