Semiconduttori al carburo di silicio (SiC)

I semiconduttori al carburo di silicio (SiC) di Microchip Technology sono un'opzione innovativa per i progettisti di elettronica di potenza che cercano di migliorare l'efficienza del sistema, il fattore di forma più piccolo e la temperatura di esercizio più elevata nei prodotti che coprono i segmenti di mercato industriale, medico, militare/aerospaziale, aeronautico e delle comunicazioni. I MOSFET SiC e i diodi a barriera Schottky (SBD) di nuova generazione di Microchip sono progettati con un'elevata capacità di commutazione induttiva non bloccata (UIS) e i suoi MOSFET SiC mantengono un'elevata capacità UIS da circa 10 J/cm² a 15 J/cm² e una robusta protezione dai cortocircuiti a 3 ms a 5 ms. Gli SBD SiC di Microchip Technology sono progettati con corrente di sovraccarico bilanciata, tensione diretta, resistenza termica e capacità termica nominale a bassa corrente inversa per una minore perdita di commutazione. Inoltre, i MOSFET SiC e gli SBD SiC possono essere accoppiati insieme per l'uso nei moduli.