Infineon Technologies EVAL-1ED3145MC12H-SIC Evaluierungsboard

Das Evaluierungsboard EVAL-1ED3145MC12H-SIC von Infineon Technologies ist eine kompakte Plattform, die dazu dient, das Betriebsverhalten des isolierten Einkanal-Gate-Treibers 1ED3145MC12H insbesondere bei schnell schaltenden Siliciumcarbid-(SiC)-Leistungsapplikationen zu demonstrieren. Das Board von Infineon misst 85 mm × 56 mm × 28 mm und dient als Evaluierungsumgebung für einen isolierten Einkanal-Gate-Treiber mit 6,5 A 5,7 kV _RMS, der für leistungsstarke Industriesysteme wie schnelle EV-Ladestationen, Motorantriebe und industrielle Leistungsstufen vorgesehen ist. Das Evaluierungsboard EVAL-1ED3145MC12H-SIC ist in einer Halbbrücken-Topologie konfiguriert und unterstützt einen breiten Ausgangsspannungsbereich von ±35 V, was gewährleistet, dass Benutzer das Schaltverhalten, die Ausbreitungsverzögerungen, die Schutzfunktionen und die Gesamtleistung des Treibers unter realistischen Testbedingungen analysieren können.

Merkmale

Entwickelt zur Evaluierung der Gate-Treiber-ICs der Produktfamilie EiceDRIVER™ X3-compact 1ED314xMC12H
Halbbrückenkonfiguration mit einer maximalen Sperrfähigkeit von 900 V an den Stromanschlüssen
Absolut maximale Versorgungsspannung am Ausgang: 35 V
Typischer Ausgangsstrom: bis zu ±6,5 A
Einstellbarer UVLO-Ausgangspegel für verbesserten Schutz von SiC-MOSFETs
Aktive Abschaltung
Sehr hohe Gleichtakt-Impulsfestigkeit CMTI: > 300 kV/µs
Typische Laufzeitverzögerungen: 40 ns
Niedrige IC-zu-IC-Laufzeitverzögerungen
Eingangsversorgungsspannung: 3,3 V und 5 V
Breites Gehäuse des Typs PG-LDSO-8 mit Kriechstrecke von >8 mm
Sicherheitszertifizierung für Gate-Treiber
- UL-1577-zertifiziert mit _{VISO, Prüfung} = 6840 V_RMS für 1 s, V_ISO= 5700 V_RMS für 60–s
- Erhöhte Isolierung gemäß IEC 60747-17 mit V_IORM = 1.767 V (geplant)

SiC-Trench-MOSFETs tIMZA120R020M1H mit CoolSiC™ und 1.200 V in PG-TO247-4 (unmontiert)
Die integrierte, isolierte Stromversorgung ist mit dem Transformator-Treiber-IC 2EP130R ausgestattet
- Breiter Eingangsspannungsbereich von 4,5 V bis 20 V
- Weitreichender Bereich der Schaltfrequenz von 50 kHz bis 695 kHz
- 10 % bis 50 % Einstellungsgenauigkeit
- Sanftanlauf mit Spitzenstromsteuerung
- Übertemperatur- und Überstromschutz
- Bereitschaftssignal zur Anzeige des erfolgreichen Abschlusses des Sanftanlaufs
Einfache Messung und Konfiguration
Größe: 85 mm x 56 mm x 28 mm

Applikationen

Batterie-Energiespeichersysteme (BESS)
Industrielle Motorantriebe und -steuerungen
Motorsteuerung
EV-Ladung

Universell einsetzbare Motorantriebe
Stromversorgungslösungen für DIN-Schienen
Photovoltaik

Technische Daten

Maximal diodengeschützter, isolierter Eingangsspannungsbereich der Netzversorgung: -0,3 V bis 18 V
Maximaler Versorgungsspannungsbereich: -0,3 V bis 7 V
Maximaler positiver Eingabebereich für Low-Side-Gate-Treiber: -0,3 V bis 7 V
Maximaler positiver Eingabebereich für High-Side-Gate-Treiber: -0,3 V bis 7 V
Maximaler Ausgangsbereich für Stromversorgung: -0,3 V bis 7 V
Maximaler Taktsignalbereich für den Bypass-Modus der Stromversorgung: -0,3 V bis 7 V
Maximal zulässiger DC-Zwischenkreisspannungsbereich: -0,2 V bis 900 V
Maximaler Anschlussbereich des Halbbrücken-Mittelpunktes: -0,2 V und 900 V
Maximaler positiver Versorgungsspannungsbereich auf der Ausgangsseite: -0,3 V bis 35 V
Maximaler negativer Versorgungsspannungsbereich auf der Ausgangsseite: -35 V bis 0,3 V

Maximaler Phasenspitzenstrom; 100 A
Maximale Pulsbreite: 100 µs
Maximale Schaltfrequenz: 100 kHz
Empfohlene Betriebsbedingungen und Versorgung mit 3,3 V
- Isolierter Eingangsspannungsbereich der Stromversorgung: 14,5 V bis 16 V
- Versorgungsspannungsbereich: 3,2 V bis 3,5 V
- DC-Zwischenkreisspannungsbereich: 25 V bis 800 V
- Positiver Versorgungsspannungsbereich der Ausgangsseite: 15 V bis 20 V
- Negativer Versorgungsspannungsbereich Bereich der Ausgangsseite: -5 V bis 0 V