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IMZA120R020M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA120R020M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA120R020M1HXK
Price: 16.17 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMZA120R020M1HXK

Herst.- Nr.:

IMZA120R020M1HXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Datenblatt:

IMZA120R020M1HXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	98 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	19 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Qg - Gate-Ladung:	83 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Infineon Technologies
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Artikel # Aliases:	IMZA120R020M1H SP005448293

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Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CoolSiC™-1200-V-SiC-Trench-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ -1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauteils erhöhen. Die CoolSiC-1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das für die niedrigsten Applikationsverluste und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für den Betrieb bei hohen Temperaturen und rauen Umgebungen und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads.