Infineon Technologies CoolSiC™ 440-V-G2-Siliciumcarbid-MOSFETs

Die CoolSiC™ 440-V-G2-Siliciumcarbid-MOSFETs von Infineon Technologies wurden entwickelt, um die Lücke zwischen 200-V-Si-Trench-MOSFETs und 600-V Si-Super-Junction(SJ)-MOSFETs zu überbrücken. Diese MOSFETs bieten eine hervorragende Leistungsdichte und Systemeffizienz in 2 und 3 Stufen unter Verwendung von harten und weichen Schalttopologien. Die CoolSiC™ MOSFETs zeichnen sich durch eine Sperrspannung von 440 V, eine Gate-Schwellenspannung von 4,5 V und eine geringe R_DS(ON)-Temperaturabhängigkeit aus. Diese MOSFETs vereinen hohe Robustheit mit extrem niedrigen Schaltverlusten und niedrigem Einschaltwiderstand. Die CoolSiC™ MOSFETs sind ideal für applikationsspezifische MOSFETs, die für die Stromversorgung von KI, Hochleistungs-SMPS für Server, Rechenzentren und Telekommunikationsgleichrichtern entwickelt wurden.