Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 IGBTs
Infineon TRENCHSTOP™5 IBGTs sind die nächste Generation von Dünnwafer-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor), die über deutlich geringere Leitungs- und Schaltverluste im Vergleich zu derzeit führenden Lösungen verfügen. Kein anderer IGBT auf dem Markt kann bei der Leistung des TRENCH ™ 5 mithalten. Diese sind für Anwendungen, mit Schaltung > 10 kHz ausgelegt. Die Waferdicke wurde auf > 25% reduziert, was eine deutliche Verbesserung sowohl bei der Reduzierung von Schalt- und Durchlassverlusten ermöglicht und gleichzeitig eine Durchbruchspannung von 650 V bietet. Dieser Quantensprung an Effizienz eröffnet Designern neue Forschungsmöglichkeiten.
Merkmale
- 650V breakthrough voltage
- Compared to 'HighSpeed 3' family:
- Factor 2.5 lower Qg
- Factor 2 reduction in switching losses
- 200mV reduction in VCE(sat)
- Co-packed with Infineon Technologies’s new 'Rapid' Si-diode technology
- Low Coss/Eoss
- Mild positive temperature coefficient VCE(sat)
- 50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
- Temperature stability of VF
- Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability
- Higher power density designs
Applikationen
- PFC + PWM topologies in:
- Welding
- UPS
- Solar
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