TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBTs mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit

Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBTs mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit sind die Verbindung zwischen dem L5 und H5 und für Applikationen mit Schaltungen zwischen 10 kHz und 40 kHz ausgelegt. Die IGBTs bieten einen hohe Wirkungsgrad, schnellere Markteinführungszyklen, weniger komplexe Schaltungsaufbauten, und eine Optimierung der PCB-Stücklistenkosten. Die S5 sind vollgepackt mit Funktionen, die Entwicklern helfen, Ziele zu erreichen, ohne die Schaltungskomplexität zu erhöhen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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349Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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376Auf Lager
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Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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552Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs Trenchstop 5 IGBT
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1 517Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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234Auf Lager
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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1 554Auf Lager
2 000erwartet ab 23.04.2026
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Rolle: 1 000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
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720Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 H5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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719Auf Lager
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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206Auf Lager
1 000erwartet ab 18.06.2026
Min.: 1
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Rolle: 1 000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape

Infineon Technologies IGBTs Trenchstop 5 IGBT
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400Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs Trenchstop 5 IGBT
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357Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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480Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs Trenchstop 5 IGBT
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417Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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200Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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142Auf Lager
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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63Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube