Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs bieten eine hohe Geschwindigkeit und sind mit einem unübertroffenen Wirkungsgrad für Applikationen ausgelegt, die schneller als 30 kHz schalten. Die High Speed 5 IGBTS mit TRENCHSTOP™ 5 Technologie enthalten eine schnelle und sanfte RAPID-1-Antiparalleldiode. Die H5 IGBTs bieten einen erstklassigen Wirkungsgrad in hartschaltenden und resonanten Topologien und sind ein Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation. Zu den typischen Applikationen gehören USV, Schweißumformer, Solarstringwechselrichter und Mittel- bis Hoch-Bereichs-Schaltfrequenzumrichter.

Merkmale

  • Die Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie bietet
  • Extrem niedrige Schaltverluste
  • Erstklassiger Wirkungsgrad bei harten Schaltungen und in Resonanz-Topologien
  • Plug-and-Play-Ersatz von IGBTs der vorherigen Generation
  • 650 V Durchschlagspannung
  • Niedrige Gate-Ladung
  • 175 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielapplikationen
  • Bleifreie Beschichtung von Leitungen
  • RoHS-konform

Applikationen

  • USV
  • Schweißumformer
  • Solarstringwechselrichter
  • Mittel- bis Hochbereichs-Schaltfrequenzumrichter
Veröffentlichungsdatum: 2017-08-24 | Aktualisiert: 2025-10-01