Infineon Technologies CoolSiC™-MOSFET-1.200-V-Evaluierungsplattform
Die Infineon Technologies CoolSiC™-MOSFET-1.200-V-Evaluierungsplattform demonstriert die Eigenschaften des 45-m Ω -CoolSiC™ -1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs (IMZ120R045M1) in Verbindung mit den EiceDriver™ Gate-Treiber-ICs. Die Evaluierungsplattform enthält ein modulares Hauptboard (EVALPSSICDPMAINTOBO1), ein Miller-Clamp-Tochterboard (REFPSSICDP1TOBO1) und ein Tochterboard für die bipolare Versorgung (REFPSSICDP2TOBO1).
Merkmale
- CoolSiC-MOSFET-1.200-V-Hauptboard
- VCC2 -Gate-Treiber-Spannungsversorgung von -5 V bis +20 V
- VCC1 -Versorgung fest bei +5 V
- Gate-Verbindung über SMA-BNC-Steckverbinder
- Strommessung über optionalen Koaxial-Shunt
- Optimierte Kommutierungsschleife
- Externe Lastinduktivitätsverbindung
- Enthält einen Kühlkörper
- Miller-Klemmen-Tochterboard
- Minimale Gate-Drive-Schleife
- Rg ON und Rg OFF sind austauschbar
- VCC2 +15 V bis 0 V GND
- Aktive Miller-Klemmfunktion
- Bipolares Versorgungs-Tochterboard
- Minimale Gate-Drive-Schleife
- Rg ON und Rg OFF sind austauschbar
- VCC2 +15 V bis -5 V GND2
- Möglichkeit für negative Stromversorgung
Auf dem Board
Infineon Technologies CoolSiC™-1200-V-SiC-Trench-MOSFETs
Optimiert, um die niedrigsten Verluste in der Applikation und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb zu liefern.
Infineon Technologies 1EDNx550 TDI EiceDriver Gate-Treiber-ICs
Verfügen über echte Differential-Eingänge (TDI) zur Verhinderung von Falschauslösung von Leistungs-MOSFETs.
Board-Layout
Blockdiagramm
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| REFPSSICDP2TOBO1 |  |
IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung |
| REFPSSICDP1TOBO1 | |
IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation Board |
Veröffentlichungsdatum: 2020-03-13
| Aktualisiert: 2024-10-11