CoolSiC™-MOSFET-1.200-V-Evaluierungsplattform

Die Infineon Technologies CoolSiC™-MOSFET-1.200-V-Evaluierungsplattform demonstriert die Eigenschaften des 45-m Ω -CoolSiC™ -1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs (IMZ120R045M1) in Verbindung mit den EiceDriver™ Gate-Treiber-ICs. Die Evaluierungsplattform enthält ein modulares Hauptboard (EVALPSSICDPMAINTOBO1), ein Miller-Clamp-Tochterboard (REFPSSICDP1TOBO1) und ein Tochterboard für die bipolare Versorgung (REFPSSICDP2TOBO1).