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Diodes Incorporated DMTH10H2M5STLWQ Automotive Enhancement-Mode-MOSFET

Der Automotive Enhancement-MOSFET DMTH10H2M5STLWQ von Diodes Incorporated ist ein n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand (typisch 1,68 mΩ, maximal 2,5 mΩ) und ausgezeichneter Schaltleistung. Der DMTH10H2M5STLWQ hat eine Drain-Source-Spannung von 100 V, einen Drain-Strom von 1 µA ohne Gate-Spannung und einen Gate-Source-Kriechverlust von ±100 nA. Dieses Bauteil ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und ist für Applikationen im Automotive-Bereich optimiert.

Der DMTH10H2M5STLWQ Enhancement Mode MOSFET von Diodes Incorporated wird in dem thermisch effizienten und kompakten PowerDI®1012-8 (TOLL)-Gehäuse angeboten. Das TOLL-Gehäuse ist für Ströme von bis zu 300 A ausgelegt und benötigt eine um 20 % geringere PCB-Fläche als der Industriestandard TO263. Mit einem Off-Board-Profil von 2,4 mm ist das TOLL-Gehäuse ideal für kompakte Designs mit hoher Packungsdichte. Die niedrige Gehäuseinduktivität des TOLL sorgt für eine verbesserte EMI-Leistung, und die verzinnten, gerillten Leitungen gewährleisten, dass die Anforderungen der automatischen optischen Inspektion (AOI) erfüllt werden.

Merkmale

  • Für Temperaturen bis +175 °C eingestuft und damit ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen
  • 100 % ungeklemmte induktive Schaltung (UIS), Test bei der Fertigung – gewährleistet eine zuverlässige und robuste Endanwendung
  • Hoher Wirkungsgrad bei der Umwandlung
  • Niedriger RDS(ON) – reduziert die Widerstandsverluste
  • Benetzbare Flanken für eine verbesserte optische Inspektion
  • Bleifreie Ausführung; RoHS-konform
  • Halogen- und antimonfreies umweltfreundliches Bauteil
  • Der DMTH10H2M5STLWQ eignet sich für Automotive-Applikationen, die eine spezifische Änderungskontrolle erfordern. Dieses Bauteil ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und wird in IATF 16949-zertifizierten Einrichtungen hergestellt.

Applikationen

  • Motorsteuerung
  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsmanagement

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung (VDSS): 100 V
  • 2,5 mΩ Drain-Source-On-Widerstand (RDS(ON))
  • 1 µA Null-Gate-Spannung Drainstrom(IDSS)
  • ±100 nA Gate-Source-Kriechverlust (IGSS)
  • Gate-Schwellenspannung (VGS(TH)): 2 V bis 4 V
  • ±36 V Gate-Source-Spannung (VGSS)
  • Dauersenkenstrom (ID)
    • 215 A (TC= +25 °C)
    • 152 A (TC= +100 °C)
  • Sperrverzögerungszeit (tRR): 87,6 ns
  • Sperrverzögerungsladung (QRR): 251,8 nC
  • -55 °C bis +175 °C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich (TJ)
  • Gehäuse: POWERDI1012-8 (TOLL)
  • Gehäusematerial: Geformter Kunststoff, umweltfreundliche Formkomponente (UL-Brennbarkeitsklasse 94V-0)
  • Einstufung der Feuchtigkeitsempfindlichkeit: 1 nach J-STD-020
  • Anschlüsse: Oberfläche matt verzinnt und gehärtet über Kupferleiterrahmen
  • Nach MIL-STD-202, Verfahren 208 lötbar
  • Gewicht: 388g (ungefähr)

Ressourcen

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Interner Schaltplan

Schaltplan - Diodes Incorporated DMTH10H2M5STLWQ Automotive Enhancement-Mode-MOSFET

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - Diodes Incorporated DMTH10H2M5STLWQ Automotive Enhancement-Mode-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2022-03-22 | Aktualisiert: 2022-06-14