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DMTH8001STLWQ-13

Name: Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH8001STLWQ-13
Price: 4.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMTH8001STLWQ-13

Herst.- Nr.:

DMTH8001STLWQ-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

Datenblatt:

DMTH8001STLWQ-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	3.38 CHF	33.80 CHF
	2.46 CHF	246.00 CHF
	2.37 CHF	2 370.00 CHF
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	2.09 CHF	3 135.00 CHF

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	270 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	138 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diodes Incorporated
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

DMTH8001STLWQ-13 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DMTH8001STLWQ Automotive Enhancement-Mode-MOSFET

Der DMTH8001STLW Automotive Enhancement-MOSFET von Diodes Incorporated ist ein n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand (1,1 mΩ typisch, 1,7 mΩ maximal₎ und hervorragender Schaltleistung. Der DMTH8001STLW hat eine Drain-Source-Spannung von 80 V, einen Drain-Strom von 1 µA ohne Gate-Spannung und eine Gate-Source-Leckage von ±100 nA. Dieses Bauteil ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und ist für Applikationen im Automotive-Bereich optimiert.