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DMTH10H2M5STLWQ-13

Name: Diodes Incorporated DMTH10H2M5STLWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-TH10H2M5STLWQ-13
Price: 4.7 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-TH10H2M5STLWQ-13

Herst.- Nr.:

DMTH10H2M5STLWQ-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

Datenblatt:

DMTH10H2M5STLWQ-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4.70 CHF	4.70 CHF
	3.14 CHF	31.40 CHF
	2.25 CHF	225.00 CHF
	2.05 CHF	1 025.00 CHF
	1.93 CHF	1 930.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	1.93 CHF	2 895.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

DMTH10H2M5STLWQ-13 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DMTH10H2M5STLWQ Automotive Enhancement-Mode-MOSFET

Der Automotive Enhancement-MOSFET DMTH10H2M5STLWQ von Diodes Incorporated ist ein n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand (typisch 1,68 mΩ, maximal 2,5 mΩ) und ausgezeichneter Schaltleistung. Der DMTH10H2M5STLWQ hat eine Drain-Source-Spannung von 100 V, einen Drain-Strom von 1 µA ohne Gate-Spannung und einen Gate-Source-Kriechverlust von ±100 nA. Dieses Bauteil ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und ist für Applikationen im Automotive-Bereich optimiert.