FET SiC 750 V Gen 4 UJ4C/SC

I FET SiC UJ4C/SC 750 V Gen 4 di Qorvo sono una serie ad alte prestazioni che offre le migliori prestazioni del settore che riducono le perdite di conduzione e aumentano l’efficienza a velocità maggiore, migliorando il rapporto costo-efficacia generale. Disponibile nelle opzioni da 5,4 mΩ a 60 mΩ, la serie Gen 4 Si basa su una configurazione a cascode unica, in cui un JFET SiC ad alte prestazioni è integrato in co-package con un SiC ottimizzato a cascode per produrre un dispositivo SiC con gate drive standard. Le caratteristiche standard di azionamento del gate dei FET UJ4C/SC 750 V consentono la funzionalità di “sostituzione drop-in”. I Progettisti possono migliorare in modo significativo le prestazioni del sistema senza modificare la tensione di azionamento del gate sostituendo IGBT Si esistenti, FET Sì, FET SiC o dispositivi super-junction Si con i FET Qorvo UJ4C/SC.

Risultati: 29
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO263 280A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 400
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO263 486A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/11MOSICFETG4TO247 1 049A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 640A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 527A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO263 698A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL 2 165A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL 714A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL 2 467A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL 2 815A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL 2 570A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL 3 259A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL 1 266A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 364A magazzino
600In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 708A magazzino
1 20020.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 253A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 324A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 445A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO263 1 300A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO247 1 686A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/9MOSICFETG4TO263- 350A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TO263 13A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 18A magazzino
6 600In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/6MOSICFETG4TO247- 3A magazzino
60020.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET