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= onsemi
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onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S
12.04.2025
12.04.2025
Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.
onsemi NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V
08.08.2025
08.08.2025
Offre un'efficienza superiore, commutazione rapida e prestazioni termiche robuste.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG050N170M1
05.22.2025
05.22.2025
Presenta un RDS(ON) massimo di 76 mΩ @ 20 V e una tensione di 1.700 V tra drain e source.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L050N170M1
02.20.2025
02.20.2025
Offrono prestazioni eccezionali con una RDS(on) tipica di 53 mΩ a VGS = 20 V.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTBL032N065M3S
02.20.2025
02.20.2025
Progettato per applicazioni a commutazione rapida offre prestazioni affidabile.
onsemi MOSFET SiC a canale N NTH4L018N075SC1
08.14.2024
08.14.2024
MOSFET M2 EliteSiC a bassa resistenza ON e 750 V, disponibile in un package compattoTO247-4L.
onsemi MOSFET EliteSiC NTBG023N065M3S 23 mΩ
08.14.2024
08.14.2024
Offre una tecnologia planare M3S per applicazioni a commutazione rapida in un package D2PAK-7L.
onsemi MOSFET SiC NTH4L023N065M3S
08.06.2024
08.06.2024
Offrono una tensione nominale di blocco dj 650 V, una capacità di uscita di 153 pF e un package TO-247-4L.
onsemi MOSFET EliteSiC (carburo di silicio) 650 V
05.29.2024
05.29.2024
Tecnologia che offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio.
onsemi Pompe di calore
03.01.2024
03.01.2024
La pompa di calore costituisce una pietra angolare del passaggio globale verso un riscaldamento sicuro e sostenibile.
onsemi MOSFET EliteSiC NVHL060N065SC1
02.28.2024
02.28.2024
MOSFET 650 V a canale N singolo, 60 mΩ (tip.) e 47 A dal design compatto ed efficiente.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVHL015N065SC1
02.28.2024
02.28.2024
Offre alta efficienza, frequenza di funzionamento più rapida e maggiore densità di potenza.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL025N065SC1
02.23.2024
02.23.2024
MOSFET 650 V, 25 mΩ EliteSiC che offrono prestazioni di commutazione superiori.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL045N065SC1
02.21.2024
02.21.2024
Presentano la tecnologia EliteSiC e offrono prestazioni di commutazione superiori.
onsemi MOSFET SIC per il settore automotive EliteSiC NVHL070N120M3S
01.30.2024
01.30.2024
MOSFET SIC planare M3S 1200 V ottimizzato per applicazioni a commutazione rapida.
onsemi FET in carburo di silicio (SiC) UF4SC120023B7S G4
01.09.2024
01.09.2024
FET SiC G4 da 1200 V, 23 mΩ basati su una configurazione circuitale "cascode" unica nel suo genere.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL075N065SC1
11.13.2023
11.13.2023
Dispositivi ad alte prestazioni con caratteristiche eccezionali.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L095N065SC1
11.13.2023
11.13.2023
Presentano una tecnologia avanzata per migliori prestazioni di commutazione e affidabilità.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG070N120M3S
09.19.2023
09.19.2023
MOSFET EliteSiC planare M3S 1200 V progettato per applicazioni a commutazione rapida.
onsemi Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC
05.09.2023
05.09.2023
Portafoglio completo di driver di porta e MOSFET EliteSiC che, una volta accoppiati, migliorano le prestazioni termiche.
onsemi EliteSiC
03.15.2023
03.15.2023
Risponde alle esigenze di applicazioni esigenti come inverter solari e caricabatterie per veicoli elettrici.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTHL075N065SC1
03.10.2023
03.10.2023
Offrono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVBG025N065SC1
03.10.2023
03.10.2023
Forniscono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio.
onsemi MOSFET EliteSiC da 1700 V NTH4L028N170M1
02.06.2023
02.06.2023
Fornisce prestazioni affidabili e ad alta efficienza per l'energia e le applicazioni di azionamento industriale.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NTH4L
01.11.2023
01.11.2023
Una famiglia di MOSFET SiC planari M3S da 1.200 V.
Visualizzazione: 1 - 25 di 40
Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V
06.19.2026
06.19.2026
Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06.18.2026
06.18.2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive
12.19.2025
12.19.2025
Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).
onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S
12.04.2025
12.04.2025
Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.
Central Semiconductor MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V
11.20.2025
11.20.2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V
10.17.2025
10.17.2025
I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 SiC da 1400V
10.09.2025
10.09.2025
Offrono prestazioni termiche migliorate, maggiore densità di potenza e maggiore affidabilità.
Microchip Technology MOSFET SIC di 1.200 V
09.25.2025
09.25.2025
I MOSFET offrono un'alta efficienza in una soluzione più leggera e compatta con velocità di commutazione elevata.
IXYS MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx
09.19.2025
09.19.2025
Questi dispositivi hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di accensione [RDS(ON)].
IXYS MOSFET IXSJxN120R1K di potenza SiC da 1.200 V
08.27.2025
08.27.2025
Fino a 1.200 V di tensione di blocco con RDS(on) ridotta di 18 mΩ o 36 mΩ.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.
onsemi NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V
08.08.2025
08.08.2025
Offre un'efficienza superiore, commutazione rapida e prestazioni termiche robuste.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SiC canale N SCT40xKWA
07.14.2025
07.14.2025
Caratteristiche: 1200 V VDS, bassa resistenza allo stato attivo, elevata velocità di commutazione e tempi di recupero rapidi.
Littelfuse MOSFET di potenza SiC IXSJxN120R1 da 1.200 V
06.23.2025
06.23.2025
Dispositivi ad alte prestazioni progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
Infineon Technologies MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 750 V G2
06.03.2025
06.03.2025
MOSFET qualificati per l'uso in ambito automobilistico e industriale con una resistenza massima drain-source di 78mΩ.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG050N170M1
05.22.2025
05.22.2025
Presenta un RDS(ON) massimo di 76 mΩ @ 20 V e una tensione di 1.700 V tra drain e source.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05.06.2025
05.06.2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Wolfspeed MOSFET in carburo di silicio da 1.700 V
04.17.2025
04.17.2025
Offre una maggiore commutazione, efficienza di sistema e densità di potenza per la conversione di potenza di nuova generazione.
IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7
03.06.2025
03.06.2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.
IXYS MOSFET sic IXSA80N120L2-7
03.06.2025
03.06.2025
MOSFET a singolo interruttore con dispositivo di grado industriale da 1.200 V, 30 mΩ, 79 A in package TO263-7L.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTBL032N065M3S
02.20.2025
02.20.2025
Progettato per applicazioni a commutazione rapida offre prestazioni affidabile.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L050N170M1
02.20.2025
02.20.2025
Offrono prestazioni eccezionali con una RDS(on) tipica di 53 mΩ a VGS = 20 V.
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV
02.18.2025
02.18.2025
1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV
02.18.2025
02.18.2025
1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
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