FET SiC 750 V Gen 4 UJ4C/SC

I FET SiC UJ4C/SC 750 V Gen 4 di Qorvo sono una serie ad alte prestazioni che offre le migliori prestazioni del settore che riducono le perdite di conduzione e aumentano l’efficienza a velocità maggiore, migliorando il rapporto costo-efficacia generale. Disponibile nelle opzioni da 5,4 mΩ a 60 mΩ, la serie Gen 4 Si basa su una configurazione a cascode unica, in cui un JFET SiC ad alte prestazioni è integrato in co-package con un SiC ottimizzato a cascode per produrre un dispositivo SiC con gate drive standard. Le caratteristiche standard di azionamento del gate dei FET UJ4C/SC 750 V consentono la funzionalità di “sostituzione drop-in”. I Progettisti possono migliorare in modo significativo le prestazioni del sistema senza modificare la tensione di azionamento del gate sostituendo IGBT Si esistenti, FET Sì, FET SiC o dispositivi super-junction Si con i FET Qorvo UJ4C/SC.

Risultati: 29
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4 600A magazzino
44.24 CHF
31.56 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 642A magazzino
11.24 CHF
6.46 CHF
6.40 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562A magazzino
11.24 CHF
7.97 CHF
6.97 CHF
5.88 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO263 486A magazzino
Nastro continuo
12.24 CHF
7.17 CHF
6.79 CHF
Nastrati
6.79 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO263 648A magazzino
Nastro continuo
11.30 CHF
6.47 CHF
6.12 CHF
Nastrati
6.12 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO263 1 266A magazzino
Nastro continuo
6.34 CHF
3.43 CHF
3.39 CHF
3.27 CHF
Nastrati
3.27 CHF
2.85 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7 278A magazzino
Nastro continuo
19.69 CHF
14.70 CHF
12.72 CHF
11.40 CHF
Nastrati
11.40 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TO247 1 258A magazzino
12.32 CHF
7.43 CHF
6.33 CHF
5.82 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7 287A magazzino
Nastro continuo
23.81 CHF
18.86 CHF
17.59 CHF
15.90 CHF
Nastrati
15.90 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL 1 630A magazzino
Nastro continuo
41.08 CHF
33.16 CHF
30.35 CHF
Nastrati
30.35 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL 712A magazzino
Nastro continuo
27.28 CHF
19.93 CHF
19.02 CHF
18.86 CHF
Nastrati
18.86 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL 2 497A magazzino
Nastro continuo
18.49 CHF
11.99 CHF
11.31 CHF
10.71 CHF
Nastrati
10.71 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL 2 815A magazzino
Nastro continuo
12.68 CHF
7.51 CHF
7.10 CHF
Nastrati
7.10 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL 2 525A magazzino
Nastro continuo
11.22 CHF
6.41 CHF
6.07 CHF
Nastrati
6.07 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL 3 269A magazzino
Nastro continuo
9.27 CHF
5.19 CHF
4.99 CHF
4.72 CHF
Nastrati
4.72 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL 1 266A magazzino
Nastro continuo
15.45 CHF
11.01 CHF
9.69 CHF
9.05 CHF
Nastrati
9.05 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 3 930A magazzino
2 40019.10.2026 previsto
12.50 CHF
7.15 CHF
6.65 CHF
6.61 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 313A magazzino
60018.12.2026 previsto
9.93 CHF
5.48 CHF
5.17 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/23MOSICFETG4TO247 1 908A magazzino
10.33 CHF
5.80 CHF
5.65 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 211A magazzino
12.58 CHF
7.11 CHF
7.04 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/33MOSICFETG4TO247 291A magazzino
13.70 CHF
7.79 CHF
7.32 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/44MOSICFETG4TO247 371A magazzino
9.82 CHF
5.41 CHF
5.09 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7 331A magazzino
Nastro continuo
26.97 CHF
19.64 CHF
18.60 CHF
Nastrati
18.60 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/11MOSICFETG4TO247-4 976A magazzino
15.94 CHF
11.91 CHF
10.30 CHF
9.74 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 750V/18MOSICFETG4TO247 10A magazzino
60028.10.2027 previsto
18.85 CHF
11.66 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET