MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET-Module 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 103 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMX Tube
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 2200V, 250A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 2.2 kV 250 A - 10 V, 25 V 5.5 V + 150 C 2 kW Tray
SemiQ MOSFET-Module 1200V SBD Module, 9mohm COPACK, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 204 A 14 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 652 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET-Module 1700V, 30mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

GCMS Tube
SemiQ MOSFET-Module 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

SiC Screw Mount S3 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 424 A 7 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 1.531 kW GCMX Bulk
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10
Rolle: 10

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 348 A 4.9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.042 kW GCMX Reel
SemiQ MOSFET-Module 1700V, 5mohm SiC MOSFET Module, S3 Half Bridge
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

SiC Screw Mount S3 N-Channel 1.7 kV 397 A 7 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V - 40 C + 175 C 2.113 kW GCMX Bulk
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40
Rolle: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 214 A 9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C GCMX Reel
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 173 A 9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 577 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET-Module 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit B3 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 201 A 8.9 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 600 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET-Module 1200V, 10mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 204 A 14 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 652 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET-Module 1700V, 15mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount S3 N-Channel 1.7 kV 397 A 7 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V - 40 C + 175 C 2.113 kW GCMX Tube
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 40
Mult.: 40
Rolle: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 18 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 333 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET-Module 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 333 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 40
Mult.: 40
Rolle: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 93 A 18.1 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 300 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET-Module 1200V, 40mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 40
Mult.: 40
Rolle: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 56 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 217 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET-Module 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET-Module 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 100 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 119 W GCMX Bulk
Microchip Technology MOSFET-Module MOSFET Linear 600 V 49 A TO-264
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 43 A 125 mOhms - 30 V, + 30 V 2 V - 55 C + 150 C 565 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module MOSFET MOS7 1000 V 35 Ohm SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 25 A 350 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 520 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module FREDFET MOS8 500 V 100 A SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Microchip Technology MOSFET-Module MOSFET MOS8 500 V 100 A SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 20
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 103 A 28 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 960 W Tube