MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
IXYS MOSFET-Module MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227B N-Channel 1 Channel 500 V 75 A 55 mOhms - 15 V, + 15 V 3.6 V - 25 C + 150 C 700 W Tube
STMicroelectronics MOSFET-Module N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
Datenblatt
800Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount ISOTOP 650 V 143 A 15 mOhms - 25 V, + 25 V - 55 C + 150 C Mdmesh M5 Bulk
Infineon Technologies MOSFET-Module CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V
Datenblatt
4erwartet ab 19.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 2.3 kV 2000 A 2.88 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V + 150 C 20 mW XHP 2 Tray
IXYS MOSFET-Module 180 Amps 150V 0.011 Rds
Datenblatt
1 261Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 175 C 680 W IXFN180N15 Tube
IXYS MOSFET-Module 32 Amps 1200V
Datenblatt
589erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 310 mOhms - 30 V, + 30 V 6.5 V - 55 C + 150 C 1 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 360 Amps 100V
Datenblatt
1 385Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.6 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W IXFN360N10 Tube
IXYS MOSFET-Module GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
598erwartet ab 07.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 150 V 310 A 4 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 1.07 mW IXFN360N15 Tube
IXYS MOSFET-Module GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
562Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 75 V 480 A 1.9 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 940 W IXFN520N075 Tube
IXYS MOSFET-Module 22 Amps 1000V
Datenblatt
780Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 22 A 600 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 700 W IXTN22N100 Tube
IXYS MOSFET-Module 62 Amps 500V
Datenblatt
240erwartet ab 02.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 62 A 100 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 800 W IXTN62N50 Tube
IXYS MOSFET-Module 24SMPD N-CH 75V 500A
Datenblatt
11Auf Lager
1 120erwartet ab 23.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 75 V 500 A 1.6 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 500V 48A
Datenblatt
1 021erwartet ab 13.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 48 A 100 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 520 W HiPerFET Tube
Microchip Technology MOSFET-Module MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
Datenblatt
60erwartet ab 17.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V - 55 C + 175 C 208 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
Datenblatt
100erwartet ab 24.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 17.6 mOhms - 10 V, + 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 278 W Tube
Infineon Technologies MOSFET-Module EASY
Datenblatt
30Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Datenblatt
15erwartet ab 28.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray
Microchip Technology MOSFET-Module MOSFET MOS7 500 V 38 mOhm SOT-227
Datenblatt
171erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 88 A 38 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 694 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module FREDFET MOS8 800 V 53 A SOT-227
Datenblatt
209Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 57 A 70 mOhms - 30 V, + 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 960 W Tube
Infineon Technologies MOSFET-Module XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
Datenblatt
4erwartet ab 19.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 2.3 kV 1500 A 3.84 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V + 150 C 20 mW XHP 2 Tray
IXYS MOSFET-Module 230A 200V
Datenblatt
368erwartet ab 13.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 7.5 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 175 C 1.09 mW IXFN230N20 Tube
onsemi MOSFET-Module SIC A1HPM 1200 V
Datenblatt
6erwartet ab 03.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount AHPM-15 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 10 V, + 25 V 3.2 V - 40 C + 175 C 1 kW NVVR26A120M1WST Tube
Microchip Technology APT50M50JFLL
Microchip Technology MOSFET-Module FREDFET MOS7 500 V 50 mOhm SOT-227
Datenblatt
50Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 500 V 71 A 50 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 595 W Tube
Microchip Technology APT8024JLL
Microchip Technology MOSFET-Module MOSFET MOS7 800 V 24 Ohm SOT-227
Datenblatt
63erwartet ab 20.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 29 A 240 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 460 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-5-SOT227
Datenblatt
31erwartet ab 23.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 11 mOhms - 30 V, + 30 V 2 V - 55 C + 150 C 450 W Tube
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
Datenblatt
96erwartet ab 17.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray