STGF15M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF15M65DF2
STGF15M65DF2

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

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1.65 CHF 1.65 CHF
0.799 CHF 7.99 CHF
0.715 CHF 71.50 CHF
0.569 CHF 284.50 CHF
0.521 CHF 521.00 CHF
0.501 CHF 1 002.00 CHF

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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
30 A
31 W
- 55 C
+ 175 C
STGF15M65DF2
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 30 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Kriechstrom Gate-Emitter: +/- 250 uA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 2,300 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der M-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Die 650V M-Serie liefert maximal 3A-150A Kollektorstrom für Anwendungen mit bis zu 100kHz Betriebsfrequenz. Sie haben ein optimiertes Design und sind in einer individuellen integrierten antiparallelen Diode erhältlich.
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