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STMicroelectronics 650V M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der M-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Die 650V M-Serie liefert maximal 3A-150A Kollektorstrom für Anwendungen mit bis zu 100kHz Betriebsfrequenz. Sie haben ein optimiertes Design und sind in einer individuellen integrierten antiparallelen Diode erhältlich.

Merkmale

  • 6μs of short-circuit withstand time
  • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 10A, 
  • 30A (STGP30M65DF2, STGB30M65DF2, STGWA30M65DF2)
  • Tight parameters distribution
  • Safer paralleling
  • Low thermal resistance
  • Soft and very fast recovery anti-parallel diode

Applikationen

  • Motor control
  • UPS
  • PFC

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Teilnummer Beschreibung Datenblatt
STGYA120M65DF2 IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss STGYA120M65DF2 Datenblatt
STGD6M65DF2 IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss STGD6M65DF2 Datenblatt
STGB15M65DF2 IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package STGB15M65DF2 Datenblatt
STGP30M65DF2 IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss STGP30M65DF2 Datenblatt
STGD4M65DF2 IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss STGD4M65DF2 Datenblatt
STGWA50M65DF2AG IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT STGWA50M65DF2AG Datenblatt
STGB30M65DF2 IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss STGB30M65DF2 Datenblatt
STGW75M65DF2 IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss STGW75M65DF2 Datenblatt
STGWA50M65DF2 IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads STGWA50M65DF2 Datenblatt
STGF15M65DF2 IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss STGF15M65DF2 Datenblatt
Veröffentlichungsdatum: 2015-07-02 | Aktualisiert: 2026-01-12