QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
Datenblatt
129Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Datenblatt
375Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Datenblatt
25Auf Lager
25Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
Datenblatt
61Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Datenblatt
53Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Datenblatt
54Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FETs 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
Datenblatt
16Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
Datenblatt
16Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Datenblatt
33Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Datenblatt
244Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 45W GaN 48V
Datenblatt
68Auf Lager
250erwartet ab 08.04.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Datenblatt
25Auf Lager
25erwartet ab 09.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Datenblatt
100Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN FETs .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Datenblatt
141Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo GaN FETs 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
Datenblatt
29Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Datenblatt
5Auf Lager
700Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Datenblatt
45erwartet ab 24.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W
Qorvo GaN FETs 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 25

SMD/SMT NI400-2 N-Channel - 40 C
Qorvo GaN FETs DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 25

SMD/SMT NI-780 N-Channel 36 V 24 A + 275 C 288 W
Qorvo GaN FETs DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 25

SMD/SMT NI-780 N-Channel 36 V 24 A + 250 C 288 W
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100

NI-360 N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100

Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100

Die N-Channel