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QPD1003

Name: Qorvo QPD1003
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1003
Price: 1768.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD1003

Herst.- Nr.:

QPD1003

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

Datenblatt:

QPD1003 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	RF-565
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 2.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	370 W
Marke:	Qorvo
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	QPD1003PCB401
Verstärkung:	19.9 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	1.4 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	1.2 GHz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	540 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	QPD1003
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	145 V
Artikel # Aliases:	1131389
Gewicht pro Stück:	104.655 g

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
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MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.