Vishay Semiconductors VEMD-Fotodioden mit großer PIN
Die Fotodioden mit großer PIN der Baureihe VEMD von Vishay Semiconductors umfassen sichtbare, Nahinfrarot-, Sichtbar/Nahinfrarot- und erweiterte sichtbare Optionen. Die Bauteile verfügen über eine strahlungsempfindliche Fläche von 7,5 mm2, eine hohe Lichtempfindlichkeit und eine ausgezeichnete Fotostromlinearität. Die Fotodioden mit großer PIN der Baureihe VEMD von Vishay sind gemäß AEC-Q101 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Die Fotodioden sind in einem Gehäuse mit den Abmessungen 5 mm x 4 mm x 0,9 mm erhältlich.
Merkmale
- Strahlungsempfindliche Fläche von 7,5 mm2
- Niedriges Profil von 0,9 mm
- Anstiegs- und Abfallzeiten bis zu 5 ns
- Hohe Lichtempfindlichkeit
- Geringe Varianz des Ausgangsstroms von Teil zu Teil
- Hervorragende Fotostromlinearität
- AEC-Q101-qualifiziert
- 5 mmm x 4 mmm x 0,9 mmm Gehäuse -Abmessungen
Applikationen
- Wearables
- Fitness-Armbänder
- Smart Watches
- Medizinische Ausrüstung
- Pulsoximetriegeräte
- Blutanalyse
- Automobil-Applikationen
- Regen-/Licht-/Tunnelsensor
- Sonnensensor
Technische Daten
- Halbwinkelempfindlichkeit: ±65°
- Spitzenwellenlängen von 820 nm, 940 nm oder 950 nm
- Ausgangsstrom: 26 µA, 45 µA oder 48 µA
Ressource
Verwandte Fotodioden
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Vishay VEMD5080X01 Silizium-PIN-Fotodioden
Bieten eine verbesserte Lichtempfindlichkeit in einem SMD-Gehäuse von 5 mm x 4 mm mit einem niedrigen Profil von 0,9 mm.
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung | Maximum-Wellenlänge |
|---|---|---|---|
| VEMD5080X01 |  |
Fotodioden Top view 350-1100nm +/-65 deg | 950 nm |
| VEMD5010X01 | |
Fotodioden Top view 430-1100nm +/-65 deg | 940 nm |
| VEMD5060X01 | |
Fotodioden Top view 350-1070nm +/-65 deg | 820 nm |
| VEMD5110X01 | |
Fotodioden Top view 790-1050nm +/-65 deg | 940 nm |
| VEMD5160X01 | |
Fotodioden Top view 700-1070nm +/-65 deg | 840 nm |
Veröffentlichungsdatum: 2025-02-17
| Aktualisiert: 2025-03-04