Vishay VEMD5080X01 Silizium-PIN-Fotodioden
Die VEMD5080X01 Silizium-PIN-Fotodioden von Vishay Semiconductor sind hochempfindliche Hochgeschwindigkeits-PIN-Fotodioden mit erhöhter Empfindlichkeit für sichtbares Licht. Diese Fotodioden sind oberflächenmontierbare Bauteile mit niedrigem Profil, die den Chip mit einer lichtempfindlichen Fläche von 7,5 mm2 enthalten und dadurch eine sichtbare und kurzwellige Infrarotstrahlung erkennen. Die VEMD5080X01 PIN-Fotodioden arbeiten in einem großen Temperaturbereich von -40 ºC bis +110 ºC. Diese Fotodioden sind AEC-Q101-qualifiziert und bleifrei. Für eine präzise Signalerfassung in Wearables sowie Medizin-, Industrie- und Fahrzeuganwendungen bieten die VEMD5080X01 Fotodioden kurze Schaltzeiten und eine niedrige Kapazität.Merkmale
- Gehäuseausführung: Oberflächenmontage
- Gehäusetyp: Ansicht von oben
- Abmessungen (L x B x H in mm): 5 mm x 4 mm x 0,9 mm
- Strahlungsempfindliche Fläche (in mm2): 7,5 mm2
- AEC-Q101-qualifiziert
- Erhöhte Empfindlichkeit für sichtbares Licht
- Hervorragende Fotostrom-Linearität
- Geeignet für sichtbare und kurzwellige Infrarotstrahlung
- Schnelle Anschwingzeit
- Geringe Ausgangsstromabweichung zwischen Teilen
- Empfindlichkeits-Halbwertwinkel: ϕ = ±65°
- Lebensdauer: 72 h, MSL 4, gemäß J-STD-020
Applikationen
- Präzise Signalerfassung in Wearables
- Wearables:
- Fitness-Armbänder
- Smart-Uhren
- Medizintechnik:
- Pulsoximetriegeräte
- Blutanalyse
- Automotive:
- Regen-Licht-Tunnel-Sensor
- Sensor
- Industrie- und Fahrzeuganwendungen
- Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren
Übersicht
Veröffentlichungsdatum: 2017-05-25
| Aktualisiert: 2025-02-17
