Vishay / Siliconix SiR870DP 100V Leistungs-MOSFETs
Vishay Siliconix SiR870DP 100V n-Kanal-TrenchFET® Leistungs-MOSFETs verfügen mittels ThunderFET® Technolgie über den branchenweit niedrigsten On-Widerstand von 7,8mO bei 4,5V. Der Vishay Siliconix SiR870DP bietet auch einen sehr niedrigen On-Widerstand von 6mO bei 10V. Diese Vishay Siliconix ThunderFET-Bauteile verfügen außerdem über den branchenweit niedrigsten 208mO-nC FOM-Wert (Figure of Merit) bei 4,5V. Der niedrige On-Widerstand führt zu niedrigeren Leitungsverlusten und verringertem Stromverbrauch für eine energiesparende, umweltfreundliche Lösung. SiR870DP 100V TrenchFET Leistungs-MOSFETs wurden für höhere Frequenzen und Schaltanwendungen entworfen.
Merkmale
- Low on-resistance of 7.8mΩ at 4.5V
- Very low on-resistance of 6mΩ at 10V
- Lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions
- Low 208mΩ-nC FOM at 4.5V
- PowerPAK SO-8 Package
- 100VDS (V)
- ±20VGS (V)
Applikationen
- Fixed telecom
- DC/DC converters
- Primary- and secondary-side switches
Package Dimensions
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Veröffentlichungsdatum: 2011-08-01
| Aktualisiert: 2022-03-11