Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SIR870DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR870DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIR870DP-T1-GE3
Price: 2.74 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SIR870DP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIR870DP-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 100-V(D-S)

Datenblatt:

SIR870DP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay Semiconductors SIR870DP-T1-GE3

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 10 537

erwartet ab 08.06.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 4

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.74 CHF	2.74 CHF
	1.79 CHF	17.90 CHF
	1.16 CHF	116.00 CHF
	0.977 CHF	488.50 CHF
	0.931 CHF	931.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.931 CHF	2 793.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	84 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	SIR
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	SIR870DP-GE3
Gewicht pro Stück:	506,600 mg