Vishay / Siliconix Si7454FDP 100-V-n-Kanal-MOSFET
Der Si7454FDP n-Kanal-100-V-MOSFET von Vishay/Siliconix ist ein TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET mit einer sehr niedrigen RDS x Qg-Gütezahl (FOM). Der Si7454FDP verfügt über einen 23,5 A ID und 8 nC Qg. Der Si7454FDP MOSFET von Vishay/Siliconix ist in einem einzelnen PowerPAK® -SO-8-Gehäuse untergebracht und verfügt über einen spezifizierten Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.
Der Si7454FDP eignet sich hervorragend für Synchrongleichrichtung, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler, Netzteile und Motorantriebssteuerungsapplikationen.
Merkmale
- TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET
- Sehr niedrige RDS x Qg -Gütezahl (FOM)
- Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss -FOM
- 100 % Rg — und UIS-getestet
Applikationen
- Synchrongleichrichtung
- Primärseitiger Schalter
- DC/DC-Wandler
- Netzteile
- Motorantriebssteuerung
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Gehäusetyp
Veröffentlichungsdatum: 2021-04-12
| Aktualisiert: 2024-01-12