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SI7454FDP-T1-RE3

Name: Vishay SI7454FDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI7454FDP-T1-RE3
Price: 1.23 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI7454FDP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SI7454FDP-T1-RE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

Datenblatt:

SI7454FDP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.23	CHF 1.23
	CHF 0.777	CHF 7.77
	CHF 0.518	CHF 51.80
	CHF 0.407	CHF 203.50
	CHF 0.371	CHF 371.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.338	CHF 1 014.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	23.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	29.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	17.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	39 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	33 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns

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SI7454FDP-T1-RE3 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

Si74 MOSFETs

Si74-MOSFETs von Vishay verfügen über die TrenchFET® -Technologie, die den Einschaltwiderstand senkt und Zuverlässigkeit und Leistung in einem Bereich von 30 V bis 250 V gewährleistet. Die n- und p-Kanal-MOSFETs sind gemäß der Definition nach IEC 61249-2-21 halogenfrei. Diese MOSFETs sind im PowerPAK® -Gehäuse untergebracht und verfügen über einen niedrigen thermischen Widerstand, eine kompakte Größe und ein schlankes Profil von 1,07 MM, wodurch sie sich hervorragend für Applikationen eignen, bei denen Platz und Wärmemanagement entscheidend sind.

Si7454FDP 100-V-n-Kanal-MOSFET

Der Si7454FDP n-Kanal-100-V-MOSFET von Vishay/Siliconix ist ein TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET mit einer sehr niedrigen RDS x Qg-Gütezahl (FOM). Der Si7454FDP verfügt über einen 23,5 A I_D und 8 nC Q_g. Der Si7454FDP MOSFET von Vishay/Siliconix ist in einem einzelnen PowerPAK^® -SO-8-Gehäuse untergebracht und verfügt über einen spezifizierten Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.